無線通信の高周波増幅器用途のHEMT、HBT、BiHEMT構造、あるいは光ディスクドライブ用途のレーザーダイオード構造のMOVPEウエハです。

この製品に関するお問い合わせ

製品情報

一般名等

化合物半導体エピタキシャルウエハ、GaAs（ガリウム砒素）、有機金属気相成長(Metalorganic Vapor Phase Epitaxy)

CAS番号

1303-00-0

用途

• F0000
• G0000
• G0400
• H0000
• H0100
• H0200

担当部署

先端無機製品事業部 サイオクス部

連絡先

〒103-6020
東京都中央区日本橋2-7-1
TEL : 03-5201-0323
FAX : 03-5201-0483
先端無機製品事業部 サイオクス部のHP