GaN系の高電子移動度トランジスタ(HEMT)用、あるいは高耐圧ダイオード用エピタキシャル多層膜がMOVPE成長されたウエハです。

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製品情報

一般名等

化合物半導体エピタキシャルウエハ、GaN（窒化ガリウム）、有機金属気相成長(Metalorganic Vapor Phase Epitaxy)

CAS番号

25617-97-4、409-21-2

用途

• F0000
• G0000
• G0400
• H0000
• H0100
• H0200

担当部署

先端無機製品事業部 サイオクス部

連絡先

〒103-6020
東京都中央区日本橋2-7-1
TEL : 03-5201-0323
FAX : 03-5201-0483
先端無機製品事業部 サイオクス部のHP