事業内容

事業分野

私たちは、GaN(窒化ガリウム)やGaAs(ヒ化ガリウム)を中心に化合物半導体事業を展開し、電子デバイスや光デバイス用途としてお客様が要求する高品質なGaN基板、エピタキシャル＊1ウェハを提供しています。

電子デバイス向けでは、携帯電話基地局やレーダーの高周波パワーアンプ、携帯端末や無線LAN機器などの受発信デバイス、スイッチ素子などに広く採用されています。また、次世代パワーデバイス用途に向けたGaN基板を上市し、さらなる大口径化、品質向上に取り組んでおります。

光デバイス向けでは、ブルーレイ＊2ディスクプレーヤー、CD/DVD機器のピックアップ用レーザーダイオードや高性能プロジェクター、液晶ディスプレイのバックライトや照明に用いられるLEDなど産業の各分野に広く使われています。

さらに私たちは、環境負荷物質を低減した社会の実現を目指し、以下のような新しい材料の開発にも積極的に取り組んでいます。

ニオブ酸カリウムナトリウム薄膜（KNN）…鉛を含まない圧電薄膜結晶
ホウ素ドープダイヤモンド電極（BDD）…電気化学用電極材料

  • ＊1単結晶基板上に結晶方位を揃えて形成する結晶薄膜
  • ＊2ブルーレイ（Blu-ray）は、ブルーレイディスクアソシエーションの登録商標です
  Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体 機能性薄膜
デバイス GaN
単結晶基板		 GaN/AlN
テンプレート		 GaN
エピウェハ		 GaAs
エピウェハ		 KNN
薄膜		 BDD
薄膜
光デバイス 可視LED ● ●        
紫外LED ● ●        
レーザーダイオード ●     ●    
電子デバイス 低雑音トランジスタ
（MESFET, HEMT, HBT）*3		       ●    
高出力トランジスタ
（MESFET, HEMT, HBT）*3		 ●   ● ●    
マイクロ波モノリシックIC       ●    
高周波スイッチ       ●    
電力デバイス ●   ●      
圧電素子 加速度/角速度センサ         ●  
アクチュエータ         ●  
電気化学用
電極		 電解電極           ●
電気化学センサ           ●
  • ＊3 MESFET: Metal-Semiconductor Field Effect Transistor 金属半導体電界効果トランジスタ
    HEMT: High Electron Mobility Transistor 高電子移動度トランジスタ
    HBT: Heterojunction Bipolar Transistor ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
事業紹介