技術概要

これまで長年培ってきたGaAs（ヒ化ガリウム）およびGaN（窒化ガリウム）の結晶成長技術・加工技術・評価技術を生かし、お客様の求める高品質材料を提供しております。

私たちは結晶成長技術として以下の３種類の技術を有しています。

有機金属気相成長（MOVPE：Metalorganic Vapor Phase Epitaxy）…GaAs/GaNデバイス用
水素化物気相成長（HVPE：Hydride Vapor Phase Epitaxy）…GaN基板/デバイス　テンプレート用
ホットフィラメント気相成膜（HFCVD：Hot Filament Chemical Vapor Deposition）…ダイヤモンド薄膜用

MOVPEはナノメートルオーダーの極めて薄い結晶を精密に組成制御できます。長年培った、装置管理技術、薄膜結晶成長ノウハウ、材料管理技術をフルに発揮し、お客様ご要望の、高周波、光出力に優れた特性のエピタキシャル基板を実現します。HVPEは低不純物、高速成長が可能な特長を生かし、厚い結晶が必要となるGaN自立基板の結晶製造および、お客様製造工程での生産効率を向上させ安価にLED材料を提供できるGaNテンプレート製品製造に適用しております。

加工技術については、GaAs基板で培った技術をGaN基板製造に応用しており、表面加工精度に優れたウエハを生産しております。

評価技術については、X線評価、フォトルミネセンス（PL）、自動シート抵抗評価、表面異物自動評価等の手法で量産品の品質を評価するとともに、SEM、AFM、CL（カソードルミネッセンス）等を用い品質向上を目指しております。またエピタキシャルウエハのデバイス特性を予測するための簡易デバイス評価も実施しており、量産品の特性管理を実現し、エピ特性向上のための研究開発にも有効な手段となっています。