GaNエピタキシャルウエハ
高周波用途
用途
- 無線通信インフラ、航空電子機器、衛星通信、レーダー、CATV送信機
- 高周波加熱、無線
- 高出力/高効率が要求される高周波パワーアンプ
特徴
- エピ核形成とバッファ層構造の最適化により髙効率、高耐圧、高周波過渡応答/分散制御を実現
- 歩留まり、製造バッチ間の再現性、ウエハ面内均一性に優れる
- 無線インフラやセキュリティの分野において採用実績あり
製品
- 半絶縁性SiC基板上AlGaN/GaN HEMTエピタキシャルウエハ
- 半絶縁性GaN基板上AlGaN/GaN HEMTエピタキシャルウエハ
電力変換用途
用途
- パワースイッチングダイオード、パワートランジスタ、電気自動車、太陽電池、データサーバー、家電製品、人工光合成、センサ
特徴
- 自社製高品質GaN基板を使用することによる低転位密度、低点欠陥密度
- 厚いドリフト層中の浅いドーピングレベルを制御することによる低いオン抵抗と高いブレイクダウン電圧（3.0ｋV超）の実現
製品
- 導電性GaN自立基板上のP/Nホモ接合GaNエピタキシャルウエハ
- 導電性GaN自立基板上のショットキーダイオード用N型ホモGaNエピタキシャルウエハ
- 半絶縁性SiC基板上AlGaN/GaN HEMTエピタキシャルウエハ
- 製品・技術
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