製品・技術

KNN((K, Na)NbO3)圧電薄膜ウエハ

スパッタ法で成膜した鉛を含まないKNN((K, Na)NbO3)圧電薄膜ウエハを提供しています。高スループット・大口径・高い面内均一性を実現する自社技術により、アクチュエータ応用 (高圧電定数・高耐圧・長寿命)だけでなく、センサ応用(低誘電率・自発分極保持)等の幅広い用途での使用が可能です。

KNN膜ウエハおよびパターニングしたKNN膜ウエハ(6インチおよび8インチ)

KNN膜ウエハおよびパターニングしたKNN膜ウエハ(6インチおよび8インチ)

応用分野

  • センサ
    角速度センサ (ジャイロセンサ)、超音波センサ(PMUT)、加速度センサ
  • アクチュエータ
    MEMSミラー (LiDAR, HUD, HMD)、インクジェットヘッド、焦点可変レンズ
  • 各種MEMSデバイス
    小型スピーカー、振動発電 (エナジーハーベスタ)、レゾネーター

特徴

  • 実用レベルの性能を有する業界唯一の鉛フリーKNN圧電薄膜
  • 環境負荷物質 (鉛:Pb) を用いずPZT (Pb(Zr, Ti)O3 )薄膜と同等レベルの圧電性能を実現
  • スパッタ法により緻密な1軸配向多結晶KNN薄膜を実現
  • 大口径 (4インチ, 6インチおよび8インチ) ウエハに均一な成膜が可能
  • 応用分野に応じて、センサ仕様膜とアクチュエータ仕様膜の作り分けが可能
  • PZTと比べてDCストレス寿命と自発分極保持可能温度で大きく勝る

断面SEM

断面SEM

X線回折パターン(2θ/θ)

X線回折パターン(2θ/θ)

積層構造

積層構造

製品

  • KNN成膜シリコンウエハ (SOIウエハ、支給ウエハ含む)
  • MEMSデバイス構造形成ウエハ (フォトマスクデータ支給で試作対応可能)

MEMSデバイス構造 (例)

MEMSデバイス構造 (例)

KNN薄膜の性能一覧表

KNN薄膜の性能一覧表

PEヒステリシス特性
アクチュエータタイプ

断面SEM

PEヒステリシス特性
センサータイプ

X線回折パターン(2θ/θ)
製品・技術